[发明专利]一种单层MXene纳米片及其制备方法在审
| 申请号： | 202010523601.6 | 申请日： | 2020-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN111591992A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 段小明;严墨;卫增岩;赵晨;黄小萧;何培刚;贾德昌;周玉 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C01B32/921 | 分类号： | C01B32/921;C01B32/914;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京隆源天恒知识产权代理事务所(普通合伙) 11473 | 代理人： | 涂杰 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单层 mxene 纳米 及其 制备 方法 | ||
1.一种单层MXene纳米片的制备方法，其特征在于，包括：
将MAX相粉体分散于氢氟酸溶液中进行刻蚀反应，干燥后得到风琴状的Mxene粉体；
将所述Mxene粉体和固态插层剂混合，并置于球磨罐中进行球磨，得到混合粉体；
将所述混合粉体离心洗涤，除去所述固态插层剂，干燥后得到单层MXene纳米片。
2.如权利要求1所述的单层MXene纳米片的制备方法，其特征在于，所述将MAX相粉体分散于氢氟酸溶液中进行刻蚀反应包括：
将所述MAX相粉体缓慢加入到的质量浓度40％～49％的氢氟酸溶液中，在35～45℃下磁力搅拌12-36小时进行刻蚀，将刻蚀后的粉体用去离子水离心洗涤至PH大于或等于6。
3.如权利要求2所述的单层MXene纳米片的制备方法，其特征在于，所述MAX相粉体与所述氢氟酸溶液的质量比为1:(18-22)。
4.如权利要求1所述的单层MXene纳米片的制备方法，其特征在于，所述固态插层剂包括尿素、草酸铵、草酸氢铵和十六烷基三甲基溴化胺中的一种或多种。
5.如权利要求4所述的单层MXene纳米片的制备方法，其特征在于，所述Mxene粉体和所述固态插层剂的质量比为1:(20-60)。
6.如权利要求1所述的单层MXene纳米片的制备方法，其特征在于，所述球磨的条件包括：研磨球和球磨罐的材质为钢或氧化锆、球料比为(10～30):1、球磨时间为12-36h、球磨转速为300-500rpm。
7.如权利要求1所述的单层MXene纳米片的制备方法，其特征在于，所述干燥方式包括在50-70℃下真空干燥或冷冻干燥。
8.如权利要求1所述的单层MXene纳米片的制备方法，其特征在于，所述单层MXene纳米片的尺寸为400-600nm。
9.如权利要求1-8中任一项所述的单层MXene纳米片的制备方法，其特征在于，所述MAX相粉体包括Ti3AlC2、Ti2AlC、Nb2AlC和V2AlC中的一种或多种。
10.一种单层MXene纳米片，其特征在于，所述单层MXene纳米片根据权利1-9中任一项所述的单层MXene纳米片的制备方法制备。
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