[发明专利]一种MOS管有效
| 申请号： | 202010513021.9 | 申请日： | 2020-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN111628002B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 唐红祥;何飞 | 申请（专利权）人： | 无锡光磊电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 曹慧萍 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体器件领域,公开了一种MOS管，包括N型硅片，N型硅片底部设有漏极，N型硅片顶部第一P阱，第一P阱内第一N扩散区，N型硅片顶部还设有第二P阱，第二P阱内设有第二N扩散区，N型硅片顶部连接绝缘层，绝缘层上设有控制源极，控制源极穿过绝缘层分别与第一P阱和第一N扩散区电连接，绝缘层内还设有控制栅极，绝缘层上还设有主源极，主源极和控制源极被绝缘层隔开，主源极穿过绝缘层分别与第二P阱和第二N扩散区电连接，绝缘层内还设有主栅极，主栅极与控制源极电连接，本发明设计新颖，通过驱动小功率MOS管来控制大功率MOS管导通，降低了大功率MOS管对驱动IC的要求，而且更容易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos | ||
【主权项】：
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