[发明专利]一种采用电压驱动的BJT有效
申请号: | 202010512331.9 | 申请日: | 2020-06-08 |
公开(公告)号: | CN111627994B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 唐红祥 | 申请(专利权)人: | 无锡光磊电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/73 | 分类号: | H01L29/73;H01L29/732;H01L29/06 |
代理公司: | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人: | 曹慧萍 |
地址: | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及功率半导体器件领域,公开了一种采用电压驱动的BJT,包括N型硅片,N型硅片底部设有集电极,N型硅片顶部设有第一P阱,第一P阱内设有第一N扩散区,N型硅片顶部设有第二P阱,第二P阱内设有第二N扩散区,N型硅片顶部连接绝缘层,绝缘层上设有输出电极,输出电极穿过绝缘层分别与第一P阱和第一N扩散区电连接,绝缘层内设有控制电极,控制电极接收驱动集电极和输出电极导通的控制信号A,绝缘层在第二P阱对应处设有发射极和基极,发射极穿过绝缘层与第二N扩散区连接,输出电极与基极电连接,基极穿过绝缘层与第二P阱电连接,本发明将BJT的导通控制从电流驱动变为电压驱动,不用再额外设计大电流驱动电路,减少了BJT的应用成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 采用 电压 驱动 bjt | ||
【主权项】:
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