[发明专利]集成电路结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010511206.6 | 申请日： | 2020-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN112420598A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 庄礼阳;黄旺骏;蔡庆威;程冠伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李琛;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成电路结构的形成方法包括形成第一后段(BEOL)互连结构的第一层金属线和在第一层金属线的第一金属线上形成半导体纳米线结构。第一后段互连结构形成在具有多个主动装置的前段(FEOL)装置层上。方法还包括形成包裹半导体纳米线结构的第一介电层、在介电层上和第一层金属线的第二金属线上形成金属层、以及在半导体纳米线结构上形成第二后段互连结构的第二层金属线。第一金属线和第二金属线彼此电性隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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