[发明专利]在下电极结构上包括支撑图案的半导体器件在审
| 申请号： | 202010488922.7 | 申请日： | 2020-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN112447719A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 李炫锡;姜埈求;赵基熙;安相赫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 田野;韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了半导体器件。半导体器件包括下电极结构的第一部分，下电极结构的第一部分位于基底上。半导体器件包括第一支撑图案，第一支撑图案与下电极结构的第一部分的侧壁的第一部分接触。半导体器件包括下电极结构的第二部分，下电极结构的第二部分位于下电极结构的第一部分的侧壁的第二部分上。半导体器件包括上电极，上电极位于下电极结构的第二部分上和第一支撑图案上。此外，半导体器件包括介电层，介电层位于上电极与下电极结构的第二部分之间。 | ||
| 搜索关键词： | 在下 电极 结构 包括 支撑 图案 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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