[发明专利]等离子体处理装置及其加热装置与工作方法在审
| 申请号： | 202010468388.3 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113745082A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 黄振华;秦阿宾 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 张妍;刘琰 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于等离子体处理装置的加热装置，等离子体处理装置包括上电极，该加热装置用于对上电极加热，该加热装置包括若干个加热电阻和共用加热源；若干个加热电阻呈散射状排布并围绕成圆环，圆环沿其周向包括若干个区；共用加热源与所有区的加热电阻连接，用于控制所有区的加热电阻的温度。此发明解决了传统小关键尺寸的晶圆刻蚀过程中关键尺寸范围和对称性分布局限的问题，通过设计可调节区域温度的加热装置，对关键尺寸不均匀的区域进行调节，从而保证了关键尺寸的对称性分布，提升了晶体管生产的稳定性和可控性。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 及其 加热 工作 方法 | ||
【主权项】：
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