[发明专利]一种PECVD表面镀膜的上下料方法有效
申请号: | 202010467836.8 | 申请日: | 2020-05-28 |
公开(公告)号: | CN111628046B | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | 朱辉;成秋云;刘帅;梁浩;石书清;罗志敏 | 申请(专利权)人: | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/66;H01L21/677;C23C16/50;C23C16/52;C23C16/54 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 戴玲 |
地址: | 410205 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种PECVD表面镀膜的上下料方法,包括石墨舟就位、石墨舟上缓存架、石墨舟上推舟机构、进舟前镀膜检测、石墨舟进反应室、石墨舟出反应室、石墨舟上传送机构、取片前镀膜检测、石墨舟返回插取片机等步骤。本发明在石墨舟的必经之路上增加两步是否镀膜检测步骤,其一用于检测推舟机构上即将进入反应室内的石墨舟内硅片是否已经进行镀膜,避免出现反应室内出现二次镀膜,其二是用于检测传送机构上将要进入插取片机的硅片是否的镀膜,避免没有进行镀膜的硅片流入下一道工序,从而确保每一舟硅片完成镀膜,而且没有重复镀膜,保证了生产流程的顺畅,硅片的效率更加稳定,提升了电池片的质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 pecvd 表面 镀膜 上下 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的