[发明专利]等离子体处理方法在审
| 申请号： | 202010467289.3 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN111653466A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 金子健吾;广濑润 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理方法，使用一个等离子体处理装置，执行供给至基座的高频功率和所要求的基片的面内温度分布不同的多个步骤。一个实施方式的等离子体处理方法包括：在腔室内对基片实施第1等离子体处理的步骤；和在腔室内对基片实施第2等离子体处理的步骤。在实施第1等离子体处理的步骤中，驱动静电吸盘的吸盘主体内的多个第1加热器，驱动该吸盘主体内的多个第2加热器。在实施第2等离子体处理的步骤中，至少使多个第2加热器的驱动停止。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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