[发明专利]磁存储器在审
| 申请号： | 202010447343.8 | 申请日： | 2020-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN112531105A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 吉水康人 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据一实施方式，根据实施方式，磁存储器包含：多个第1膜(101)及多个第2膜(102)，在第1方向上交替积层；第1绝缘层(120)，通过多个第1膜及多个第2膜，在与第1方向交叉的第2方向上延伸；第2绝缘层(122)，通过多个第1膜及多个第2膜，与第1绝缘层朝向和第1及第2方向交叉的第3方向的面相接；第1磁性体(124)，包含设置在第2绝缘层与多个第1膜及多个第2膜之间的第1部分(MP)、及连接于第1部分的一端且在第2及第3方向的至少一方向上延伸的第2部分(HD)；第1配线层(SL)，连接于第1磁性体的第1部分的另一端；以及第1磁阻效应元件(MTJ)，连接于第1磁性体的第2部分。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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