[发明专利]提升SRAM芯片写能力的差分电源电路有效
| 申请号： | 202010433785.7 | 申请日： | 2020-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN111710355B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 温亮;李伟春;冯明奎;朱连利;卫国华;路士兵 | 申请（专利权）人： | 中国人民武装警察部队海警学院 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417;G11C11/419;G11C5/14 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理有限公司 33226 | 代理人： | 方小惠 |
| 地址： | 315801 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提升SRAM芯片写能力的差分电源电路，包括一个反相器和两个差分虚拟电源产生电路，两个差分虚拟电源产生电路镜像对称，将两个差分虚拟电源产生电路分别称为第一个差分虚拟电源产生电路和第二个差分虚拟电源产生电路，第一个差分虚拟电源产生电路包括第一个或非门、第一个PMOS管、第一个NMOS管、第二个NMOS管和第一个虚拟电源线，第二个差分虚拟电源产生电路包括第二个或非门、第二个PMOS管、第三个NMOS管、第四个NMOS管和第二个虚拟电源线；优点是具有较强的写驱动能力，应用于SRAM芯片时，不会导致SRAM芯片的面积和功耗大幅增加，且不会影响SRAM芯片的保持能力，提高SRAM芯片性能。 | ||
| 搜索关键词： | 提升 sram 芯片 能力 电源 电路 | ||
【主权项】：
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