[发明专利]一种硅衬底氮化物多量子阱同质集成的电光调制器及制备方法在审

专利信息
申请号: 202010423176.3 申请日: 2020-05-19
公开(公告)号: CN111628039A 公开(公告)日: 2020-09-04
发明(设计)人: 李欣;吴悦;蒋成伟;沙源清;王永进 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: H01L31/173 分类号: H01L31/173;H01L31/18;G02F1/017;G02F1/03
代理公司: 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 代理人: 姚姣阳
地址: 210003 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种硅衬底氮化物多量子阱同质集成的电光调制器及制备方法,实现载体为带有多量子阱结构的硅衬底氮化物晶片,带有多量子阱结构的硅衬底氮化物晶片包括硅衬底层和位于其上方的包含多量子阱结构的氮化物外延层,氮化物外延层上设置有作为单波长光源、带有布拉格反射镜的波导型电光调制模块及光电探测器。本发明在悬空薄膜结构上实现了光源、电光调制模块和光电探测器的集成,在同质集成的电光调制器内可见光传输损耗和传输泄露低,能够对光信号进行高自由度和高响应速度的操控和调制。应用于光通信网络中,有利于提升可见光通信技术在信息传输速率、信息处理速度和终端器件集成度等多方面的性能指标。
搜索关键词: 一种 衬底 氮化物 多量 同质 集成 电光 调制器 制备 方法
【主权项】:
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