[发明专利]利用离化溅射技术在磁材表面实现冷镀的镀膜方法有效

专利信息
申请号: 202010418115.8 申请日: 2020-05-18
公开(公告)号: CN111575664B 公开(公告)日: 2021-08-17
发明(设计)人: 夏原;李光 申请(专利权)人: 中国科学院力学研究所
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/02;C23C14/16;C22C21/10
代理公司: 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 代理人: 胡剑辉
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种利用离化溅射技术在磁材表面实现冷镀的镀膜方法,包括如下步骤:制备铝锌硅‑稀土以作为复合靶材;对磁材进行研磨清洗处理,然后放入真空室中进行离子刻蚀;当磁材完成离子刻蚀后,在负偏压50~200V下开启离子源和溅射电源,控制离子源的功率在0.7~1.5kW,并将复合靶材加载350~550V电压,然后持续镀膜20~40分钟,在磁材表面的镀膜厚度达到要求后停止;待磁材冷却后,对真空室充气,然后打开真空室取出镀膜后的磁材,完成镀膜过程。本发明在铝锌硅涂层中添加了稀土元素钕,可以提高涂层的致密性,离化磁控溅射制备技术的低温沉积特性不会对磁材本身的性质以及磁材产生影响,而且离化磁控溅射技术更容易精确控制涂层厚度和涂层成分,制备的涂层均匀性更好。
搜索关键词: 利用 溅射 技术 表面 实现 镀膜 方法
【主权项】:
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