[发明专利]一种硅异质结太阳电池本征钝化层的结构及其制作方法

摘要

本发明涉及太阳电池技术领域的一种硅异质结太阳电池本征钝化层的结构及其制作方法，结构包括设置在单晶硅片衬底上方的第一受光面和下方的第二受光面，至少在第一受光面上或者第一受光面和第二受光面上的本征硅基薄膜钝化层均是三层复合结构，其中第一层和第三层均为本征掺杂氢化非晶硅层，第二层为设置在第一层和第三层之间的宽带隙本征氢化非晶SiAx：H层；制作方法为在晶体硅衬底的受光面沉积一层非晶硅层；再生长一层宽带隙硅基i‑SiAx层；再生长一层非晶硅层，形成本征硅基钝化层；解决高钝化性能和低寄生吸收不能兼得、高钝化性能和低串联电阻相互制约的问题；该本征硅基钝化层可以降低晶体硅表面的复合速率，又可以利用宽带隙提升到达吸收层的入射光。