[发明专利]形成垂直场效应晶体管器件的方法在审
| 申请号： | 202010380974.2 | 申请日： | 2020-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN111916352A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 金旻奎;洪思焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了形成垂直场效应晶体管器件的方法。该方法可以包括在基底上形成第一沟道区和第二沟道区，在基底以及第一沟道区和第二沟道区上形成衬垫，通过去除衬垫的一部分和基底的一部分，在第一沟道区和第二沟道区之间的基底中形成凹部，在基底的凹部中形成底部源极/漏极区，在底部源极/漏极区上形成封盖层，去除衬垫和封盖层，在基底和底部源极/漏极区上形成间隔物，以及在第一沟道区和第二沟道区的侧表面上形成栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 垂直 场效应 晶体管 器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
