[发明专利]NiS2 有效
| 申请号： | 202010376442.1 | 申请日： | 2020-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN111599996B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 安琴友;郭一博;朱少华;麦立强 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/58;H01M4/587;H01M10/0525;C01B32/05;C01G51/00;C01G53/11;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 崔友明 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明涉及纳米片组装的NiS |
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| 搜索关键词： | nis base sub | ||
【主权项】：
暂无信息
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