[发明专利]一种薄膜铌酸锂光波导芯片抛光装置的抛光方法有效
| 申请号： | 202010364793.0 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111379009B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 唐杰;钱广;孔月婵;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | C25F3/20 | 分类号： | C25F3/20 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 王美章 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明所提出的一种薄膜铌酸锂光波导芯片抛光装置及其抛光方法利用磁力搅拌台驱动磁转子在抛光溶液中转动，进而搅拌抛光溶液与芯片表面发生流动接触，其中的抛光颗粒与干法刻蚀后的芯片表面发生半接触或滑动接触，并伴有少量的粒子轰击，同时抛光溶剂中的碱性离子与刻蚀表面发生化学刻蚀反应，利用抛光溶液的不断搅动实现沿刻蚀表面平行方向的化学刻蚀和粒子轰击，进而去除沉积在干法刻蚀表面的刻蚀生成物以及干法刻蚀产生的尖峰和凸起，达到刻蚀表面和波导侧壁光滑化的效果，与传统的接触式机械研磨抛光和化学机械抛光方法相比，具有结构简单、操作简便、成本低、表面损伤小的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 铌酸锂光 波导 芯片 抛光 装置 方法 | ||
【主权项】：
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