[发明专利]一种低压高密度trench DMOS器件制造方法有效
| 申请号： | 202010327725.7 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN111508830B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 廖远宝;洪根深;吴建伟;吴锦波;徐政;徐海铭 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种低压高密度trench DMOS器件制造方法，属于半导体功率器件技术领域。trench阵列完成后，不做氧化层的去除，直接做牺牲氧化修复trench阵列内表面损伤。trench阵列中多晶硅表面比硅表面高2000~3000Å。再通过氧化层刻蚀技术，把硅表面氧化层干法刻掉，剩余一定厚度的氧化层作为阱注入阻挡层。本发明利用trench阵列刻蚀中掩蔽氧化层来抬高栅引出位置多晶硅高度，避免多晶硅上孔腐蚀打穿栅多晶，提高产品良率和可靠性；通过优化工艺，降低栅极接触孔打穿栅多晶硅短路问题，从而提高产品良率与可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 高密度 trench dmos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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