[发明专利]一种增加嵌入式内存擦写窗口的工艺方法有效
| 申请号： | 202010326180.8 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN111524890B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 刘俊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H10B41/40;H10B43/30;H10B43/40;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种增加嵌入式内存擦写窗口的工艺方法，提供硅衬底，在硅衬底上刻蚀形成STI区和有源区，有源区上覆盖氮化硅；将STI区和所述有源区的硅衬底区域划分为闪存单元区域以及逻辑区域；在闪存单元区域上形成一层覆盖STI区和有源区的光刻胶；对逻辑区域中的有源区的氮化硅进行回刻；去除闪存单元区域上的光刻胶。本发明的工艺方法采用在闪存单元区域覆盖光刻胶后对逻辑区域进行氮化硅回刻，利用光刻胶对闪存单元区进行了保护，使得在STI形成后的后续湿法刻蚀工艺中，在闪存单元区的STI区两边上侧通过对STI场氧的侧边钻蚀而形成向下的尖端，从而达到闪存单元有源区的宽度不因氮化硅回刻而缩小，同时也增加了闪存单元擦写窗口的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增加 嵌入式 内存 擦写 窗口 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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