[发明专利]一种增加嵌入式内存擦写窗口的工艺方法有效
| 申请号： | 202010326180.8 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN111524890B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 刘俊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H10B41/40;H10B43/30;H10B43/40;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 增加 嵌入式 内存 擦写 窗口 工艺 方法 | ||
1.一种增加嵌入式内存擦写窗口的工艺方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供硅衬底，在所述硅衬底上刻蚀形成STI区和有源区，所述有源区上覆盖氮化硅；将所述STI区和所述有源区的硅衬底区域划分为闪存单元区域以及逻辑区域；
步骤二、在所述闪存单元区域上形成一层覆盖所述STI区和所述有源区的光刻胶；
步骤三、对所述逻辑区域中的有源区的氮化硅进行回刻；对所述氮化硅进行的回刻为各向同性刻蚀，所述氮化硅的上表面以及两个侧面均同等程度被刻蚀；
步骤四、去除所述闪存单元区域上的所述光刻胶；
步骤五、在所述闪存单元区域和所述逻辑区域同步形成场氧区；
步骤六、对所述场氧区进行刻蚀，使得所述闪存单元区域的所述STI区两边上侧通过对所述场氧区的侧边钻蚀形成向下的尖端。
2.根据权利要求1所述的增加嵌入式内存擦写窗口的工艺方法，其特征在于：步骤一中所述有源区的硅衬底和所述氮化硅之间还设有氧化硅。
3.根据权利要求1所述的增加嵌入式内存擦写窗口的工艺方法，其特征在于：步骤三中对所述逻辑区域中的有源区的氮化硅进行的回刻为湿法刻蚀。
4.根据权利要求1所述的增加嵌入式内存擦写窗口的工艺方法，其特征在于：步骤五中形成所述场氧区的方法包括：一、在所述闪存单元区域和所述逻辑区域同步沉积一层氧化硅，沉积的氧化硅将所述闪存单元区域以及所述逻辑区域的STI区进行填充；二、去除所述闪存单元区域以及所述逻辑区域中所述有源区上的氮化硅以及氧化硅，将所述有源区的硅衬底上表面暴露。
5.根据权利要求1所述的增加嵌入式内存擦写窗口的工艺方法，其特征在于：步骤六对所述场氧区进行的刻蚀为湿法刻蚀。
6.根据权利要求1所述的增加嵌入式内存擦写窗口的工艺方法，其特征在于：步骤六中对所述场氧区刻蚀后，所述逻辑区域的所述STI区的两边上侧顶角被所述场氧区覆盖。
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