[发明专利]成膜装置以及成膜方法有效
申请号: | 202010325508.4 | 申请日: | 2020-04-23 |
公开(公告)号: | CN111850471B | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 小野大祐;伊藤昭彦 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子装置株式会社 |
主分类号: | C23C14/14 | 分类号: | C23C14/14;C23C14/34;C23C14/56;C23C14/58 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 日本神奈川县横浜市荣区笠间二*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种成膜装置以及成膜方法,其可低成本且高效率地形成氢化硅膜。所述成膜装置包括:搬送部(30),具有循环搬送工件(10)的旋转台(31);成膜处理部(40),具有包含硅材料的靶(42)、及对被导入靶(42)与旋转台(31)之间的溅射气体(G1)进行等离子体化的等离子体产生器,通过溅射而在工件(10)形成硅膜;以及氢化处理部(50),具有导入含有氢气的工艺气体(G2)的工艺气体导入部(58)、及对工艺气体(G2)进行等离子体化的等离子体产生器,对已形成在工件(10)的硅膜进行氢化,搬送部(30)以使工件(10)交替地穿过成膜处理部(40)与氢化处理部(50)的方式进行搬送。 | ||
搜索关键词: | 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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