[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202010325279.6 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN112071848A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 李奉镕;金泰勋;裵敏敬 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11563 | 分类号： | H01L27/11563;H01L27/11565;H01L27/11578;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;王占杰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件包括：衬底；下结构，所述下结构包括位于所述衬底上的密封层和位于所述密封层上的支撑层，所述密封层和所述支撑层都包括半导体材料；模制结构，所述模制结构位于所述下结构上，并且包括交替地堆叠的层间绝缘膜和导电膜；沟道孔，所述沟道孔穿透所述模制结构；沟道结构，所述沟道结构沿着所述沟道孔的侧壁延伸；隔离沟槽，所述隔离沟槽穿透所述模制结构并延伸到所述下结构中；以及多晶硅衬层，所述多晶硅衬层沿着所述隔离沟槽的侧壁延伸，所述多晶硅衬层连接到所述下结构并包括半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010325279.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
