[发明专利]基于多基板二次拼接的长线列探测器拼接结构及实现方法有效
申请号: | 202010324681.2 | 申请日: | 2020-04-23 |
公开(公告)号: | CN111710749B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 王小坤;李俊;陈俊林;孙闻;曾智江;李雪 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/18;H01L25/00;H01L27/14 |
代理公司: | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了基于多基板二次拼接的长线列探测器拼接结构及实现方法,本发明拼接结构由线列红外探测器芯片、Z字形探测器拼接子基板、共用大基板、Z向调节螺钉、X向调节结构和Y向调节螺钉组成,在安装过程中先借助Z向调节螺钉将Z字形探测器基板调整到共面,再用Y向调节螺钉和X向调节结构来调节确保各Z字形探测器拼接子基板之间的相对位置关系。本发明的结构简单,操作方便,成本低廉;适用于拼接式长线列红外探测器低温封装场合,也适用于其它的多低温冷平台低温组装的场合;本发明的采用Z字形探测器拼接子基板首尾咬合二次拼接,降低了拼接子基板的加工难度,同时有利于长线列的探测器规模的扩展,有利于提高探测器成品率。 | ||
搜索关键词: | 基于 多基板 二次 拼接 长线 探测器 结构 实现 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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