[发明专利]全局快门图像传感器单元及其制备方法有效
| 申请号： | 202010322879.7 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN111463225B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 范春晖 | 申请（专利权）人： | 上海微阱电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 陶金龙;张磊 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种全局快门图像传感器单元，包括：衬底，设于所述衬底上的浅槽隔离区、传输晶体管栅极、光电二极管和浮置扩散区，以及设于所述衬底上方的导电挡光层；其中，所述导电挡光层相邻位于所述浮置扩散区的上方，并将所述浮置扩散区完全覆盖，所述导电挡光层的下表面与所述浮置扩散区的上表面相连，所述导电挡光层的上表面连接设于所述衬底上方的金属互连层。本发明通过设置在浮置扩散区的存储节点电容上方的不透光硅化物导电挡光层，有效避免浮置扩散区受光照的影响，降低全局快门图像传感器单元的寄生光响应。 | ||
| 搜索关键词： | 全局 快门 图像传感器 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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