[发明专利]一种低温油墨法制备的铜铟镓硒吸收层有效
| 申请号： | 202010319141.5 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN111489958B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 李丽波;杜金田;翟墨 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/032;H01L31/0392 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江联合专利商标代理有限公司 23213 | 代理人： | 岳昕 |
| 地址： | 150006 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
一种低温油墨法制备的铜铟镓硒吸收层，它涉及一种利用油墨法制备的铜铟镓硒吸收层。本发明致力于解决现有铜铟镓硒吸收层制备工艺复杂，需高温烧结，吸收层薄膜禁带宽度不佳等问题。本发明的方法如下：一、液相法制备铜铟镓硒晶体；二、铜铟镓硒油墨的制备；三、铜铟镓硒吸收层薄膜的制备。本发明制备得到的铜铟镓硒油墨经简单的热处理即可制备为铜铟镓硒吸收层，得到的铜铟镓硒吸收层表面平整，禁带宽度为1.45eV，空穴浓度为6.812×10 |
||
| 搜索关键词： | 一种 低温 油墨 法制 铜铟镓硒 吸收 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨理工大学，未经哈尔滨理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010319141.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
