[发明专利]一种制备压电复合薄膜的方法及压电复合薄膜在审
| 申请号： | 202010315086.2 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN113540339A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 胡卉;李真宇;朱厚彬;张秀全;薛海蛟 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/253 | 分类号： | H01L41/253;H01L41/083 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制备压电复合薄膜的方法及压电复合薄膜，在具有衬底层的原始压电复合薄膜内，通过离子注入法将离子注入到衬底层的表面区域，使得离子破坏衬底层表面处的晶格结构，造成一定的损伤进而形成损伤层，之后再对包含损伤层在内的原始压电复合薄膜进行低温退火处理，获得目标压电复合薄膜。本发明的方案可以在制备好整体的原始压电复合薄膜之后，通过离子注入法形成损伤层，再利用损伤层捕获衬底层与低声阻层之间的电荷，避免采用当前常用的方法，使得后形成低声阻层时对先生成的损伤层造成影响，本发明的方案能够保证损伤层捕获电荷的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 压电 复合 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于济南晶正电子科技有限公司，未经济南晶正电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010315086.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
