[发明专利]适用于GaN器件的低延时高侧驱动电路有效
| 申请号： | 202010314887.7 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN111464172B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 陈珍海;吴勇;何宁业;汪礼;许媛;宁仁霞;王东;鲍婕;吕海江 | 申请（专利权）人： | 黄山学院;西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 245041 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于GaN器件的低延时高侧驱动电路，该电路包括低延时高压电平移位电路和输出驱动电路；低压输入数据首先进入低延时高压电平移位电路，得到低电位浮动的驱动数据Din进入输出驱动电路，经驱动放大得到具有较大驱动能力的输出信号HO；所述低延时高压电平移位电路，需要使用低压地VSS和浮动地SW两组地电位，所述输出驱动电路只需要使用浮动地SW。本发明所提供用于GaN器件的低延时高侧驱动电路通过正反馈驱动电流增强技术减小电平移位电路的延迟，并可以根据负载大小和输入控制脉冲的频率自适应调整驱动电流最大程度上提高效率，可以广泛应用于各类栅驱动芯片中。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 gan 器件 延时 驱动 电路 | ||
【主权项】：
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