[发明专利]一种钌掺杂含硫空位的过渡金属硫化物电极及制备方法有效
| 申请号： | 202010313134.4 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN111525128B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 熊杰;胡安俊;雷天宇;陈伟;胡音;刘雨晴;王显福 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/58 | 分类号： | H01M4/58;H01M4/136;H01M4/1397;H01M4/62;H01M12/08;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明提供的一种钌掺杂含硫空位的过渡金属硫化物电极，包括导电基底和生长在其表面的钌掺杂含硫空位的过渡金属硫化物纳米片，钌掺杂含硫空位的过渡金属硫化物纳米片由钌纳米颗粒和含硫空位的过渡金属硫化物纳米片复合而成，形成异质结构。制备方法为先在导电基底上制备过渡金属硫化物纳米片，再经过硼氢化钠处理得到含硫空位的过渡金属硫化物，最后浸入含三氯化钌的氢氧化钠溶液中掺杂钌。本发明所得钌掺杂含硫空位的过渡金属硫化物电极因存在硫空位而产生大量表面氧化还原活性位点，掺杂的钌占据硫空位处，与其他硫键合，从而激活表面电荷转移，提高电子传输性能，有效改善Li‑O |
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| 搜索关键词： | 一种 掺杂 空位 过渡 金属 硫化物 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
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