[发明专利]一种传感器集成芯片及其制备在审

专利信息
申请号: 202010307875.1 申请日: 2020-04-17
公开(公告)号: CN112666236A 公开(公告)日: 2021-04-16
发明(设计)人: 胡训博;傅邱云 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G01N27/327 分类号: G01N27/327
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 许恒恒;李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明属于电化学传感器领域,公开了一种传感器集成芯片及其制备,该电化学传感器集成芯片,包括位于晶圆级半导体基底上的参考电极和对电极,在参考电极和对电极上各设置有绝缘层,外延硅层则外延沉积在绝缘层上;该外延硅层的一端位于参考电极的上方,另一端位于对电极的上方;半导体基底与外延硅层包围形成内部中空结构,该中空结构用于作为电解液腔容纳电解液;外延硅层上还开设有孔洞,在该外延硅层的表面及孔内壁上自内向外均依次沉积有工作电极绝缘层、工作电极层和隔膜层;孔洞与电解液腔相连通。本发明通过采用Surface MEMS(表面微机械)工艺在半导体基底(如硅基晶圆)上实现规模制备电流型电化学传感器,降低传感器成本,提高普及率。
搜索关键词: 一种 传感器 集成 芯片 及其 制备
【主权项】:
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