[发明专利]具有非对称结构的用于磁存储器件的复合多层膜在审
| 申请号： | 202010297884.7 | 申请日： | 2020-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN111485198A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 王文爽;沈文齐 | 申请（专利权）人： | 蚌埠泰鑫材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/16;C23C14/34;G11C11/16;H01F41/18 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人： | 汤文旋 |
| 地址： | 233000 安徽省蚌埠市蚌山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有非对称结构的用于磁存储器件的复合多层膜，具有非对称结构的用于磁存储器件的复合多层膜自下而上依次包括：基片层、晶种层、第一Co层、第一Pt层、第二Co层、第二Pt层、第一非磁性金属层、第二非磁性金属层、第一CoFeB层、第一MgO层、第二CoFeB层、第三非磁性金属层、第三CoFeB层、第二MgO层以及第四CoFeB层。本发明提出了一种具有非对称结构的用于磁存储器件的复合多层膜，其能够在膜层层数不变的情况下提高磁材料性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对称 结构 用于 磁存储器 复合 多层 | ||
【主权项】：
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