[发明专利]一种光刻胶图案化方法及光刻胶剥离方法有效
| 申请号： | 202010264995.8 | 申请日： | 2020-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113495430B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 王科 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;G03F7/20;G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 266555 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光刻胶图案化方法及光刻胶剥离方法，在对光刻胶层进行曝光形成曝光区和非曝光区之后，对曝光区的顶部进行处理，形成预阻挡层，或者结合负显影技术去除非曝光区，形成第一图案结构，之后对第一图案结构进行等离子体处理，使得预阻挡层发生反应形成阻挡层，并且使得阻挡层下方的光刻胶层被刻蚀，形成上宽下窄的第二图案结构。阻挡层的有利于保持第二图案结构的顶部尺寸，以及光刻胶层的钻刻，利于形成上宽下窄的第二图案结构。在衬底上形成上宽下窄的图案结构后沉积金属层，去除光刻胶实现光刻胶剥离。该过程可以采用例如正显影技术去除曝光后的光刻胶。整个过程采用的试剂不会对图案金属层以及衬底造成损伤，提高了成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 图案 方法 剥离 | ||
【主权项】：
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