[发明专利]一种光刻胶图案化方法及光刻胶剥离方法

权利要求书

1.一种光刻胶图案化方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一衬底，所述衬底表面涂覆有光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光，形成曝光区和非曝光区；

对曝光后的所述光刻胶层进行硅基化处理，在所述曝光区的所述光刻胶层的顶部形成预阻挡层，以形成第一图案结构；

对所述第一图案结构进行氧等离子体处理，以形成第二图案结构，在氧等离子体处理过程中，所述预阻挡层被氧化成氧化硅层以形成阻挡层，所述阻挡层下方的所述光刻胶被钻刻，所述第二图案结构中的所述阻挡层的宽度大于所述阻挡层下方的所述光刻胶层的宽度。

2.根据权利要求1所述的光刻胶图案化方法，其特征在于，在所述曝光区的顶部形成预阻挡层以形成第一图案结构，还包括采用负显影技术去除所述光刻胶层的所述非曝光区。

3.根据权利要求1或2所述的光刻胶图案化方法，其特征在于，

对曝光后的所述光刻胶层进行硅烷基化处理时，在所述曝光区的所述光刻胶层的顶部形成含硅聚合物层，所述含硅聚合物层形成所述预阻挡层。

4.根据权利要求3所述的光刻胶图案化方法，其特征在于，对曝光后的所述光刻胶层进行硅烷基化，还包括以下步骤：

将带有曝光后的光刻胶层的所述衬底置于反应腔室中；

向所述反应腔室通入硅基化试剂；

将反应温度设置为50℃~150℃；

将所述第一图案结构在所述反应腔室中保持30秒~900秒。

5. 根据权利要求1所述的光刻胶图案化方法，其特征在于，所述预阻挡层的厚度介于10 nm~ 300 nm。

6.根据权利要求1所述的光刻胶图案化方法，其特征在于，在80℃~200℃之间对所述第一图案结构进行氧等离子体处理。

7.根据权利要求1所述的光刻胶图案化方法，其特征在于，所述第二图案结构中的所述阻挡层与所述阻挡层下方的所述光刻胶层形成T型结构。

8.根据权利要求1所述的光刻胶图案化方法，其特征在于，所述第二图案结构中所述阻挡层下方的所述光刻胶层形成三角形结构。

9.一种光刻胶剥离方法，其特征在于，包括以下步骤：

采用权利要求1-8中任一项所述的光刻胶图案化方法在衬底上形成第二图案结构；

在所述衬底及所述第二图案结构上方形成金属层；

去除所述第二图案结构，在所述衬底上形成图案化金属层。

10.根据权利要求9所述的光刻胶剥离方法，其特征在于，在衬底及所述第二图案结构上方形成的所述金属层的厚度不大于所述第二图案结构中的光刻胶层的厚度。

11.根据权利要求9所述的光刻胶剥离方法，其特征在于，所述衬底为SiC衬底。