[发明专利]基于斯格明子的自旋忆阻突触器件在审
| 申请号： | 202010262550.6 | 申请日： | 2020-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN113497180A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 曾中明;李荣鑫;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/04;H01L43/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;黄进 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于斯格明子的自旋忆阻突触器件，其包括：两端口存在自旋霍尔角的重金属层；位于重金属层上的磁性自由层，所述磁性自由层被划分为隧道结区和斯格明子存储区域，所述隧道结区和所述斯格明子存储区之间设置有阻碍斯格明子自由移动的阻隔件；依次设置于隧道结区上的绝缘势垒层、磁性钉扎层和金属顶电极；其中，所述金属顶电极被配置为连接初始化电流以在所述隧道结区产生斯格明子，所述重金属层被配置为连接写入电流以驱动斯格明子在所述隧道结区和所述斯格明子存储区之间移动，所述金属顶电极还被配置为连接读出电流以读取所述隧道结区的电导。本发明提供的自旋忆阻突触器件具有读写能耗低、稳定性高、电导态数目相对多的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 明子 自旋 突触 器件 | ||
【主权项】：
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