[发明专利]基于P-GaN帽层和叉指结构的横向肖特基二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010256166.5 | 申请日： | 2020-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN111477690B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 杨凌;侯斌;王军;宓珉瀚;张蒙;马晓华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/417;H01L29/45 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于P‑GaN帽层和叉指结构的横向肖特基二极管及其制备方法，二极管包括衬底，依次位于衬底上的AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层、SiN钝化层；阴极，沉积有第一欧姆金属，贯穿SiN钝化层且位于AlGaN势垒层上；阳极包括第一结构(肖特基凹槽结构)和第二结构(混合阳极结构)，第一结构包括P‑GaN帽层上方和凹槽内均沉积的若干阳极金属，第二结构包括若干第二欧姆金属，以及P‑GaN帽层和若干第二欧姆金属上方均沉积的若干阳极金属，第一结构和第二结构交替分布呈叉指结构。本发明器件阳极采用混合阳极加肖特基凹槽的交叉排列结构，有效避免电子由阳极从缓冲层转移至阴极，提高了器件的反向击穿性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 gan 结构 横向 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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