[发明专利]硬掩模及其制备方法、约瑟夫森结的制备方法及超导电路

摘要

本发明实施例提供了一种硬掩模及其制备方法、约瑟夫森结的制备方法及超导电路。硬掩模包括：氧化硅层，用于设置于裸硅片上；氮化硅层，设置于氧化硅层的上端；在氮化硅上设置有第一图案，氧化硅层上设置有与第一图案相对应的第二图案，第一图案与第二图案的形状不同，第一图案与第二图案用于辅助在裸硅片上形成约瑟夫森结。本实施例提供的技术方案，通过氧化硅层和氮化硅层构成硬掩模，使得硬掩模可以承受不同加工温度的材料，适用于多种表面处理工艺，可以与超高真空环境兼容，且在制备约瑟夫森结时，可以适用于材料淀积前后，较强烈的处理工艺；不仅保证了约瑟夫森结的制备质量和效率，同时也提高了对约瑟夫森结进行制备的工艺多样性和兼容性。