[发明专利]LED外延结构、其p型GaP层粗化方法及LED芯片有效
| 申请号： | 202010238216.7 | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113451448B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 黄文洋;林雅雯;黄国栋;黄嘉宏;杨顺贵 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 李发兵 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体是LED外延结构、其p型GaP层的粗化方法及LED芯片，将GaAs衬底放入反应腔中，生成p型GaP电流扩展层；在p型GaP电流扩展层生成后；将反应腔的腔内温度降低60‑120℃，降低反应腔内Ga源的通入流量，并增加反应腔内二茂镁的通入流量；在所述p型GaP电流扩展层上生长p型GaP粗化层。本发明的有益效果是：通过在GaP电流扩展层上进行降温低长速高掺杂间歇式生长GaP的方式来获取p型GaP粗化层，无需对外延结构进行GaP层蚀刻粗化，提高了出光效率也减少了制作工序，同时也避免了GaP层蚀刻粗化时缺陷的引入。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 结构 gap 层粗化 方法 芯片 | ||
【主权项】：
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