[发明专利]高压自举二极管复合器件结构

摘要

本发明提出一种在节省芯片面积、保证低泄漏电流、不额外添置控制电路的情况下，满足高耐压特性的高压自举二极管复合器件结构，所述复合器件可有效代替高压栅驱动芯片中的自举二极管，实现和优化自举二极管的功能。该复合器件由高压JFET和二极管组成，可用于高压栅驱动电路高侧电路的电平位移模块中，其中JFET源极与二极管阴极通过金属相连，由此形成高压自举二极管复合器件。版图布局方面，该复合器件与用于电平位移的分区RESURF结构或自屏蔽结构的LDMOS组合形成高侧电路环岛，与岛内的高压电路形成高侧电路，共同控制高侧功率晶体管的开启与关断。