[发明专利]一种以海绵状石墨烯或其衍生物为碳源规模化制备SiC纳米线的方法在审

专利信息
申请号: 202010230654.9 申请日: 2020-03-27
公开(公告)号: CN111232983A 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 卓东贤;陈少云;吴立新;瞿波;王睿 申请(专利权)人: 泉州师范学院
主分类号: C01B32/97 分类号: C01B32/97;C01B32/984;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 代理人: 戴雨君
地址: 360000 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种以海绵状石墨烯或其衍生物为碳源规模化制备SiC纳米线的方法,该方法是将石墨烯或其衍生物分散于水中,经超声、冻干后制得海绵状石墨烯及其衍生物;将二氧化硅粉末与硅粉混合均匀后置放到耐高温容器中,而后在顶部放置石墨纸作为衬底;随后海绵状石墨烯或其衍生物铺放在石墨纸上面,盖上容器顶盖;最后将耐高温容器放置于耐高温炉中,煅烧后获得SiC纳米线。本发明以硅粉和二氧化硅粉末的混合物为硅源,通过在低压、高温下形成汽化一氧化硅气体,并与海绵状石墨烯或其衍生物以气固反应机理的形式生成SiC纳米线。由于制备过程中并未采用任何催化剂,所得SiC纳米线的纯度与结晶度高,且堆垛层错之类的缺陷少,机械强度高,能够满足电子、航空航天等极端使役条件的尖端需求。
搜索关键词: 一种 海绵状 石墨 衍生物 碳源 规模化 制备 sic 纳米 方法
【主权项】:
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