[发明专利]一种钝化金属接触的背结太阳能电池的制备方法

摘要

本发明涉及一种钝化金属接触的背结太阳能电池的制备方法，包括：(1)、在硅片的前表面制备浅掺杂的n+前场；(2)、在浅掺杂的n+前场上制备掩膜层；(3)、在硅片的背表面制备p+发射极，掩膜层能够阻挡制备p+发射极所用的掺杂原子对硅片前表面的n+前场形成反掺杂；在制备p+发射极的过程中，p+发射极上会覆盖硼硅玻璃层；(4)、在硼硅玻璃层和p+发射极上局部开凹槽；(5)、在硅片的背表面制备n+背场，硼硅玻璃层能够阻挡制备n+背场所用的掺杂原子对p+发射极形成反掺杂；(6)、清洗硅片，以去除掩膜层和硼硅玻璃层；(7)、在硅片背面制备隧穿氧化层和多晶硅膜层，并退火处理；(8)、对硅片进行钝化和金属化处理。