[发明专利]一种使用扩散型SOI硅片制备的半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010220311.4 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111244023A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 杨朔 | 申请（专利权）人： | 上海安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 合肥律众知识产权代理有限公司 34147 | 代理人： | 龙海丽 |
| 地址： | 200030 上海市徐汇*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的主要目的为提供一种新型垂直导电结构同面电极半导体分立器件及其制备方法，具体为一种使用扩散型SOI硅片制备的半导体器件及其制备方法。此方法采用浅结扩散硅片和起支撑作用的衬底硅片通过绝缘层如二氧化硅键合替代成本高的外延片或深结扩散片，降低成本；并将背电极引到正面，和其它正面电极达到同面。制造过程采用对有源区硅片先进行扩散，再通过氧化层键合衬底硅片作为支撑，减少高低浓度过渡区，又可将背面高浓度层通过扩散高浓度外环层引到正面，形成电极。如图结构，硅片由衬底片10和扩散硅片及绝缘层20组成，扩散硅片包括高浓度底部区30、低浓度区40、底部电极引出区高浓度层50，其它示意区如反型层41、同面电极70/80，介质层80。此种结构可广泛用于将垂直导通的半导体器件电极引到同一面，可形成低成本表面贴装器件，应用广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 扩散 soi 硅片 制备 半导体器件 及其 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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