[发明专利]一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管大信号等效电路模型有效
| 申请号： | 202010219080.5 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111490096B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 周春宇;王冠宇;闫伟涛;常晓伟;耿欣;蒋巍 | 申请（专利权）人： | 燕山大学 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;G06F30/39 |
| 代理公司： | 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 张锦红 |
| 地址： | 066004 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管大信号等效电路模型，属于半导体集成电路技术领域，包括本征NPN晶体管单元，寄生衬底PNP晶体管单元，衬底匹配网络单元，BC寄生等效电路单元，BE寄生等效电路单元，以及发射区、基区和集电区寄生等效电阻。本发明能精确反映异质结双极晶体管器件物理本质，准确的模拟器件特性，且参数少、提取过程简单，同时可以将所建立的等效电路模型嵌入仿真软件，适用于模拟高频集成电路仿真设计。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 应变 si sige 异质结 双极晶体管 信号 等效电路 模型 | ||
【主权项】：
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