[发明专利]一种改善栅极氧化层均匀度的方法在审
| 申请号： | 202010216931.0 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN113451119A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 韩长安;朱东亮;宋康 | 申请（专利权）人： | 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 杨帆 |
| 地址： | 215025 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善栅极氧化层均匀度的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供已制成浅沟槽隔离结构的半导体基底；(2)通过热氧化的方式在所述半导体基底上生长第一热氧化层；(3)通过高温氧化的方式在所述第一热氧化层上沉积第二沉积氧化层，从而形成目标栅极氧化层；(4)对所述目标栅极氧化层进行退火处理以得到最终栅极氧化层。本发明提供的改善栅极氧化层均匀度方法能够避免MOS器件从浅沟槽隔离结构拐角处击穿，而且能够打破栅极氧化层厚度限制，这在很大程度上可以有效地改善器件性能及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 栅极 氧化 均匀 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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