[发明专利]一种半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 202010214814.0 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113451318B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 韩亮;王海英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/41 | 分类号： | H10B41/41;H10B41/35;H10B41/42 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供包括隔离区和器件区的基底，形成贯穿无源栅极结构的控制栅层的切割沟槽，在切割沟槽中、栅极结构侧部的基底上、以及隔离区的控制栅层上依次形成第一介质层和第二介质层，且第二介质层暴露出隔离区的第一介质层；以第二介质层为掩模刻蚀去除隔离区上的第一介质层；回刻蚀第一介质层和第二介质层，直至暴露出控制栅层的顶部区域，且切割沟槽中的底部具有覆盖浮栅层的残余第一介质层。本申请形成了第一介质层和第二介质层，并在回刻蚀之前去除了隔离区上的第一介质层。残余第一介质层能够对切割沟槽进行保护。有效地避免了器件电阻过大的问题，提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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