[发明专利]一种半导体器件及其形成方法

说明书

本发明公开一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供包括隔离区和器件区的基底，形成贯穿无源栅极结构的控制栅层的切割沟槽，在切割沟槽中、栅极结构侧部的基底上、以及隔离区的控制栅层上依次形成第一介质层和第二介质层，且第二介质层暴露出隔离区的第一介质层；以第二介质层为掩模刻蚀去除隔离区上的第一介质层；回刻蚀第一介质层和第二介质层，直至暴露出控制栅层的顶部区域，且切割沟槽中的底部具有覆盖浮栅层的残余第一介质层。本申请形成了第一介质层和第二介质层，并在回刻蚀之前去除了隔离区上的第一介质层。残余第一介质层能够对切割沟槽进行保护。有效地避免了器件电阻过大的问题，提高了器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体器件及其形成方法。

背景技术

目前的半导体产业中，集成电路产品主要可以分为三大类型：数字电路、模拟电路、数模混合电路，其中，存储器是数字电路中的一个非常重要的类型。近年来，随着半导体工艺的发展，在存储器方面已经开发出了快闪存储器(flsh memory)等存取速度很快的存储器。因为快闪存储器可多次进行信息存入、读取和擦除等动作，且具有掉电保护的特性，因此已经广泛应用于电子设备中。而NAND(与非门)快速存储器作为快速存储器的代表，也因为其存储容量大、性能高的特点，广泛应用于读/写要求较高的领域。

现有的NAND快速存储器通常需要在半导体器件的无源栅极结构的顶部区域形成金属硅化物层(Salicide)，且在有源区(Active Area，AA)的有源栅极结构侧部的基底上不能形成金属硅化物层，因此无源栅极结构的顶部区域需要形成开口以用于沉积金属硅化物，在有源区的衬底上方需要形成隔离结构以隔离金属硅化物。当前在进行前述处理时，由于器件的表面不平整，因此会存在刻蚀处理中部分区域被过刻蚀的问题，从而影响器件的性能。

发明内容

本发明的目的在于解决现有技术中，由于器件的表面不平整，而造成的刻蚀处理时部分区域被过刻蚀，从而影响器件的性能的问题。

本发明提供了一种半导体器件及其形成方法,其中，采用该方法制备得到的半导体器件，当回刻蚀所述第一介质层和所述第二介质层暴露出所述控制栅层的顶部区域的时候，无源栅极结构的切割沟槽中的底部具有覆盖浮栅层的残余第一介质层，因此残余第一介质层能够保护无源栅极结构中浮栅层不会被暴露出来，无源栅极结构中浮栅层的电阻不会受到后续金属硅化处理的影响，能够保持一定的阻值，满足工艺的需要，半导体器件的性能更好。

为解决上述技术问题，本发明的实施方式公开了一种半导体器件的形成方法，包括：

提供基底,所述基底包括隔离区和位于隔离区之间的器件区，器件区上具有若干栅极结构，各所述栅极结构包括浮栅层和位于所述浮栅层上的控制栅层，部分数量的所述栅极结构为无源栅极结构，所述控制栅层还延伸至所述隔离区上，所述隔离区上所述控制栅层的顶部表面低于所述器件区上所述控制栅层的顶部表面；

形成贯穿所述无源栅极结构的所述控制栅层的切割沟槽；

在所述切割沟槽中、所述栅极结构侧部的所述基底上、以及所述隔离区的所述控制栅层上形成第一介质层；

在所述切割沟槽中、所述栅极结构侧部的所述基底上形成位于所述第一介质层上的第二介质层，且所述第二介质层暴露出所述隔离区的所述第一介质层；

以所述第二介质层为掩模刻蚀去除所述隔离区上的所述第一介质层；

刻蚀去除所述隔离区上的所述第一介质层之后，回刻蚀所述第一介质层和所述第二介质层，直至暴露出所述控制栅层的顶部区域，且所述切割沟槽中的底部具有覆盖所述浮栅层的残余第一介质层。

可选的，所述第一介质层的材料包括氧化硅；所述第一介质层的厚度为600埃至700埃。

可选的，所述第二介质层的材料包括氧化硅；所述第二介质层的厚度为5000埃至6000埃。