[发明专利]富硫空位硫化铋纳米线及其制备方法和应用有效
申请号: | 202010213700.4 | 申请日: | 2020-03-24 |
公开(公告)号: | CN111389417B | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 麦立强;朱杰鑫;杨雯暄;韩春华 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | B01J27/04 | 分类号: | B01J27/04;C25B3/26;C25B3/07;C25B11/091 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 崔友明 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提出了一种通过抗坏血酸部分还原硫化铋制造硫空位的方法,还原后的硫化铋纳米线宽度在50‑300纳米,长度在100‑200微米。该材料可以作为电催化二氧化碳还原的活性材料,利用硫空位对二氧化碳还原活性中间体的特异性吸附,表现出优异的甲酸产物选择性。本发明具有工艺简单、反应条件温和、材料电化学性能优异等特点。 | ||
搜索关键词: | 空位 硫化 纳米 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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