[发明专利]用于低电压的列译码电路有效
| 申请号： | 202010210637.9 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN111370041B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 王鑫 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C8/10 | 分类号： | G11C8/10;G11C5/14 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种应用于低电压的列译码电路，涉及存储器技术领域。该用于低电压的列译码电路至少包括反相器、PMOS管和NMOS管；反相器的输出端与第一PMOS管、第一NMOS管连接；第一PMOS管与第一NMOS管连接后与第二NMOS管连接，第二NMOS管连接灵敏放大器、存储单元；第一PMOS管与第二PMOS管连接，第一NMOS管与第三NMOS管连接，第二PMOS管的栅极接第一电压，第三NMOS管的栅极接第二电压，第一电压与第二电压相反；解决了现有的列译码电路在低电压应用中结构面积大、功耗高的问题；达到了既不增加额外的电容或高压产生电路，也不增加额外功耗，实现低电压下列译码电路正常工作的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电压 译码 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010210637.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：功率器件的失效分析方法
- 下一篇：一种台区开关拓扑识别方法
