[发明专利]抗耦合干扰的电源产生电路在审

专利信息
申请号: 202010210586.X 申请日: 2020-03-24
公开(公告)号: CN111404368A 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 马媛;邵博闻 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H02M1/44 分类号: H02M1/44;H02M1/32
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 本申请涉及一种半导体集成电路,具体涉及一种抗耦合干扰的电源产生电路。包括:第一放电通路,第一放电通路的高压输入节点连接第一电压,第一放电通路的控制端连接第一控制信号;用于在第一放电阶段对高压输入节点进行放电;第二放电通路,第二放电通路连在第一放电通路和电源产生通路之间,第一放电通路的控制端连接第二控制信号,第二放电通路的传送节点连接第一放电通路;用于在第二放电阶段,将高压输入节点放电到电源产生通路上电源输出节点的电位;抗耦合干扰电路,抗干扰电路连接在第二放电通路和电源产生通路之间,用于在第二放电阶段拉低电源输出节点的电位。抗耦合干扰电路能够在第二放电阶段拉低电源输出节点的电位,避免击穿电压。
搜索关键词: 耦合 干扰 电源 产生 电路
【主权项】:
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