[发明专利]一种抗PID太阳能电池减反射膜的制备方法在审
| 申请号： | 202010205410.5 | 申请日： | 2020-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113437175A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 樊选东 | 申请（专利权）人： | 中建材浚鑫科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种抗PID太阳能电池减反射膜的制备方法，镀膜工艺如下：通过氧气迅速氧化电池片表面形成一层均匀的SiO2薄膜；将电池片放入氧化器内，氧化器通入高纯氧，电池片经过滚轮通过氧化器；在SiO2薄膜上镀第一层SiNx膜；将电池片插入石墨舟后送入炉管，设置炉管温度450℃，开始进行镀SiNx膜工艺，具体步骤为：(1)抽真空；(2)镀膜，通入反应气体SiH4和NH3，SiH4流量900sccm，NH3流量3800sccm，反应压力1600Pa，高频功率6500W，高频占空比40：400，沉积时间190s；(3)稳压；在第一层SiNx膜上镀第二层SiNx膜；具体步骤为：(1)镀膜，工艺设置温度450℃，通入SiH4和NH3，SiH4流量700sccm，NH3流量7000sccm，反应压力1600Pa，高频功率6500W，高频占空比40：400，沉积时间515s；(2)排废气取出石墨舟。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pid 太阳能电池 减反射膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
