[发明专利]一种通过多因素优化制备高致密度氮化硅陶瓷的方法及制备的氮化硅陶瓷在审
| 申请号： | 202010198103.9 | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111393170A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 管晶;李世佳;管甲锁;宋索成 | 申请（专利权）人： | 西安澳秦新材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/622;C04B35/64;C04B35/645;C04B35/634 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 马贵香 |
| 地址： | 710299 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过多因素优化制备高致密度氮化硅陶瓷的方法及制备的氮化硅陶瓷，本发明优化冷等静压成型、预烧结、热等静压烧结工艺和粘结剂、烧结助剂的成分及总含量等试验参数，采用多因素优化，提高氮化硅制品的致密度，解决了现有氮化硅陶瓷产品难以获得高致密度(99.5％)件的问题，所生产出的氮化硅产品不仅具有高致密度(99.5％)，也具有极高的强度，这些优异的性能决定了高致密度的氮化硅陶瓷在航空、航天、精密高速轴承、电子封装等领域将有更为广泛地应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 因素 优化 制备 致密 氮化 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
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