[发明专利]二次电子发射系数的测量方法有效
| 申请号： | 202010197709.0 | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113495081B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 张科;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/2251 | 分类号： | G01N23/2251;G01R19/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
一种二次电子发射系数的测量方法，包括：扫描电子显微镜发射高能电子束，该高能电子束穿过第一收集板、第二收集板进入到法拉第杯中，第二电流计测得进入到法拉第杯中的高能电子束形成的电流I |
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| 搜索关键词： | 二次电子 发射 系数 测量方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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