[发明专利]二次电子发射系数的测量方法

说明书

一种二次电子发射系数的测量方法，包括：扫描电子显微镜发射高能电子束，该高能电子束穿过第一收集板、第二收集板进入到法拉第杯中，第二电流计测得进入到法拉第杯中的高能电子束形成的电流I_注入电流；将第一收集板和第二收集板短接，将待测样品放置在第一收集板和第二收集板之间，在待测样品与第一收集板之间施加50伏电压，I_SE＝0，第一电流计测量待测样品和第一收集板之间的电流I₁，背景电流I_BG1忽略，根据I₁＝I_BG1+I_others+I_SE，求得I_others；在第一收集板和待测样品之间施加一正电压，采用第一电流计测量第一收集板和待测样品之间的电流I₂，背景电流I_BG2忽略，根据I₂＝I_BG2+I_others+I_SE，求I_SE，进而得到二次电子发射系数。

技术领域

本发明涉及一种二次电子发射系数的测量方法。

背景技术

二次电子发射是指用电子流或离子流轰击物体表面，使之发射电子的过程。发射的电子叫次级电子或二次电子。二次电子一般都是在物体表层5～10nm深度范围内发射出来的，它对样品的表面形貌十分敏感，因此，二次电子发射现象能非常有效的显示物体的表面形貌。二次电子的原理被应用在电子倍增管、光电倍增管、微通道板、法拉第杯与戴利侦测器等侦测元件，也用在扫描电子显微镜等电子成像元件。随着电子技术的飞速发展，二次电子发射现象越来越受到人们的广泛关注。

二次电子发射系数为发射的二次电子与注入电子的比例，其是衡量二次电子发射现象的一个重要物理参数。不同情况下对二次电子发射系数的要求并不相同。例如，在光电倍增管和电子倍增器中，希望二次电子发射系数越大越好。然而，在栅控电子管以及高压电子管中，则希望二次电子发射系数越小越好，最好二次电子发射现象不要发生。因此，二次电子发射系数的测量方法对准确性的要求较高。

然而，现有的二次电子发射系数的测量方法中，一般没有排除由其它方式产生的从物体表面逸出的低能电子，这些低能电子为伪二次电子，现有的测量方法中无法区分伪二次电子与二次电子，因此导致现有的测量方法测得的二次电子发射系数准确性较低。而且现有的二次电子发射系数的测量方法具有只能测量尺寸较大的三维体型材料的二次电子发射系数的问题。

发明内容

有鉴于此，确有必要提供一种准确性较高的二次电子发射系数的测量方法。

一种二次电子发射系数的测量方法，包括以下步骤：

步骤S1，提供一二次电子发射系数测量装置，该二次电子发射系数测量装置包括：

一扫描电子显微镜；

一第一收集板，该第一收集板包括一第一通孔；

一第二收集板，该第二收集板包括一第二通孔；

一第一电流计、一第二电流计、一电压表以及一法拉第杯，该法拉第杯包括一电子入口，所述电子入口与所述第一通孔、第二通孔贯穿设置，该第一收集板、第二收集板以及法拉第杯均设置于扫描电子显微镜的腔室内，该电压表用于测量待测样品与所述第一收集板之间的电压；该扫描电子显微镜的电子发射端发射高能电子束，该高能电子束依次穿过所述第一通孔、第二通孔进入到所述法拉第杯中，通过所述第二电流计测得进入到法拉第杯中的高能电子束形成的注入电流I_注入电流；